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J-GLOBAL ID：200903073568332949
電力用半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993067150
Publication number (International publication number)：1994283727
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】ガードリング層とチャネルストッパ層からなる耐圧構造を有する電力用半導体素子の耐圧構造の設計を最適にする。【構成】最外周のガードリング層とチャネルストッパ層との間隔を、主接合とチャネルストッパ層との間隔の半分以上とする。さらに、四角形のチップの四角形の各層輪郭の角にある円弧部における最外周ガードリング層とチャネルストッパ層との間隔を直線部におけるより長くして電界強度の集中を緩和する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一面側の第一導電形層の表面層に設けられ、第一主電極が接触する第二導電形層によって形成される主接合をとり囲んで同心円状に設けられた第二導電形の環状ガードリング層の最外周の層と、半導体基板の周縁に接して設けられ、半導体基板の第二主電極が接触する他面の電位と等電位の第一導電形あるいは第二導電形のチャネルストッパ層との間隔が、主接合とチャネルストッパ層との間隔の半分以上であることを特徴とする電力用半導体素子。
IPC (3)：
H01L 29/91
, H01L 27/08 331
, H01L 29/06
