Pat

J-GLOBAL ID：200903073584882720

光記憶素子

Inventor： 川本 徹 ,  阿部 修治
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  川本 徹 ,  阿部 修治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000282327
Publication number (International publication number)：2002090939
Application date： Sep. 18, 2000
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光誘起相転移物質を用いて、消費エネルギーが小さく、情報記憶の寿命が長い、光で書き込み消去可能な光記憶素子を提供する。【解決手段】 a状態が安定な物質からなるαユニット、b状態が安定な物質からなるβユニットの二種類の光誘起相転移物質を超格子的に組んだ光照射によって情報の書き込み、消去を行う光記憶素子。

Claim (excerpt)：

a状態が安定な物質からなるαユニット、b状態が安定な物質からなるβユニットの二種類の光誘起相転移物質を超格子的に組んだ光照射によって情報の書き込み、消去を行う光記憶素子。

IPC (3)：

G03C 1/72 ,  G03C 1/73 ,  G11B 7/24 511

FI (3)：

G03C 1/72 ,  G03C 1/73 ,  G11B 7/24 511

F-Term (7)：

2H123AE00 ,  2H123AE03 ,  2H123AE04 ,  2H123EA08 ,  5D029JA01 ,  5D029JB16 ,  5D029JC17