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J-GLOBAL ID：200903073594449730

半導体放射線検出素子および整流素子

Inventor： 川上 春雄 ,  佐藤 則忠 ,  田村 孝司 ,  上野 正和
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 松崎 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203991
Publication number (International publication number)：1994132557
Application date： Aug. 18, 1993
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 逆バイアスを掛けたときのリーク電流が小さくて電気特性が安定で、しかも製造が簡単な放射線検出素子または整流素子を提供する。【構成】 例えばp型のSi基板12と、金属電極11との間に、従来絶縁層として用いられるSiO2 膜よりも比抵抗の小さなアモルファスカーボン膜20を配置することにより膜厚の制限を緩やかにし、より厚い膜でも充分な電流値を確保し得るようにする。また、金属電極11とアモルファスカーボン膜20の上に他のアモルファスカーボン膜またはアモルファスほう素膜を形成することで耐薬品性を高め、分解能を高めることができる。

Claim (excerpt)：

一伝導形の半導体基板と、この半導体基板の一表面に設けられた絶縁層と、この絶縁層上に設けられた金属電極と、前記半導体基板の他表面に設けられたオーミック電極とを有し、前記金属電極とオーミック電極を介して電圧を印加することにより、前記一表面から前記半導体基板内に形成される空乏層に入射する放射線にて、この空乏層内に生成される正孔-電子対に基づき放射線を検出する半導体放射線検出素子において、前記絶縁層は高比抵抗のアモルファスカーボンよりなるものであることを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (2)：

H01L 31/09 ,  H01L 29/62