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J-GLOBAL ID：200903073594824175

半導体装置の形成方法

Inventor： 岩谷 昭彦 ,  安生 一郎 ,  有田 順一 ,  西村 朝雄 ,  羽田 光明 ,  一谷 昌弘 ,  角谷 彰朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993200485
Publication number (International publication number)：1995058281
Application date： Aug. 12, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の2本のリードを容易に接合及び一方のリードの他端側を容易に切断し除去できる技術を提供する。また、半導体装置の信頼性を高める。【構成】 2個の半導体ペレット2A、2Bの夫々の外部端子2A1 、2B1 に夫々別々に一端側が電気的に接続された2本のリード4A、5Aを互いに重ね合わせて接合し、この2本のリードのうち、一方のリード4Aの他端側を除去する半導体装置の形成方法において、一方のリード4Aの中央部に、他方のリード5Aの表面が露出するリード幅寸法を部分的に縮小した接合領域4A1 及び他方のリード5Aの断面積に比べて小さい断面積を有する切断領域4A2 を形成する段階と、この一方のリード4Aの接合領域4A1 とそれから露出する他方のリード5Aの表面とを接合し、この一方のリード4Aの切断領域2 からこの一方のリード4Aの他端側を切断して除去する段階とを備える。

Claim (excerpt)：

2個の半導体ペレットの夫々の外部端子に夫々別々に一端側が電気的に接続された2本のリードを互いに重ね合わせて接合し、この2本のリードのうち、一方のリードの他端側を除去する半導体装置の形成方法において、下記の段階(イ)乃至(ロ)を備えたことを特徴とする半導体装置の形成方法。(イ)前記2本のリードのうち、一方のリードの中央部に、他方のリードと重ね合わせたときにこの他方のリードの表面が露出するリード幅寸法を部分的に縮小した接合領域を形成すると共に、他方のリードと重ね合わせたときにこの他方のリードの断面積に比べて小さい断面積を有する切断領域を形成する段階、(ロ)前記一方のリードを他方のリードに重ね合わせ、この一方のリードの接合領域とそれから露出する他方のリードの表面とを接合し、この一方のリードの切断領域からこの一方のリードの他端側を切断して除去する段階。

IPC (5)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/50