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J-GLOBAL ID：200903073598255728

量子演算素子

Inventor： 鬼追 一雅 ,  齊藤 晶
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001041610
Publication number (International publication number)：2002246585
Application date： Feb. 19, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン単結晶微粒子の形成が容易で且つ電子雲の分離と接触との制御を容易にする。【解決手段】 酸化シリコン膜12上にシリコン単結晶微粒子14〜17を略等間隔に配列する。各シリコン単結晶微粒子14〜17の頂部は多結晶シリコン膜18に接続されている。そして、各シリコン単結晶微粒子14〜17の中にはリン原子(ドナー原子)31〜34が入れられる。さらに、各シリコン単結晶微粒子14〜17上には金属電極20〜23が形成され、その間には金属電極24〜27が形成されている。こうして、各シリコン単結晶微粒子14〜17は直接接触していなくとも、金属電極20〜27に与える電位によって複数のリン原子31〜34間での電子を媒体とした原子核スピンの交換を行うことができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1絶縁膜と、上記第1絶縁膜上に互いに間隔を有して配列されたシリコン単結晶微粒子と、上記第1絶縁膜上に、上記シリコン単結晶微粒子の一部を露出させて且つ隙間を埋めるように形成された第2絶縁膜と、上記第2絶縁膜上に形成されると共に、上記各シリコン単結晶微粒子における上記第2絶縁膜からの露出部に接触している多結晶シリコン膜と、上記多結晶シリコン膜上に形成された第3絶縁膜と、上記第3絶縁膜上における上記各シリコン単結晶微粒子の位置に形成された第1金属電極と、上記第3絶縁膜上における各第1金属電極の間の位置に形成された第2金属電極を備えて、上記各シリコン単結晶微粒子の中に不純物としてリン原子を含んでいることを特徴とする量子演算素子。

IPC (3)：

H01L 29/66 ,  B82B 1/00 ,  H01L 29/06 601

FI (3)：

H01L 29/66 C ,  B82B 1/00 ,  H01L 29/06 601 D