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J-GLOBAL ID：200903073598703186

半導体装置封止用樹脂組成物及び半導体装置

Inventor： 井野 茂樹 ,  塩原 利夫
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995242482
Publication number (International publication number)：1997064245
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【解決手段】 熱伝導率が5w/mK以上で平均粒径が10μm以下の高熱伝導性粒子を、バインダーとして下記一般式(1)R1(4-m)Si(OR2)m (1)(式中、R1は一価の有機基又はハロゲン原子、R2は一価炭化水素基を示し、mは1〜4の整数である。)で示されるシラン化合物を用いて造粒し、700〜1900°Cで焼結してなり、球状で平均粒径が3〜85μmである高熱伝導性充填剤を、全充填剤中の50〜100重量%の割合で含有することを特徴とする半導体装置封止用樹脂組成物。【効果】 本発明の半導体装置封止用樹脂組成物は流動性が良好であると共に、熱伝導性、耐湿性に優れた硬化物を与え、この硬化物で封止された半導体装置は高い信頼性を有するものである。

Claim (excerpt)：

熱伝導率が5w/mK以上で平均粒径が10μm以下の高熱伝導性粒子を、バインダーとして下記一般式(1)R1(4-m)Si(OR2)m (1)(式中、R1は一価の有機基又はハロゲン原子、R2は一価炭化水素基を示し、mは1〜4の整数である。)で示されるシラン化合物を用いて造粒し、700〜1900°Cで焼結してなり、球状で平均粒径が3〜85μmである高熱伝導性充填剤を、全充填剤中の50〜100重量%の割合で含有することを特徴とする半導体装置封止用樹脂組成物。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C01B 33/18 ,  C08L 63/00 NKX ,  C08L 83/04 LRY

FI (4)：

H01L 23/30 R ,  C01B 33/18 E ,  C08L 63/00 NKX ,  C08L 83/04 LRY

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-166754
  
• 特開昭55-113511
  
• 特開昭60-005064