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J-GLOBAL ID：200903073603546205

波長可変半導体レーザ

Inventor： 山口 昌幸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995266106
Publication number (International publication number)：1997092933
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 単一の制御電流(電圧)により波長を可変することができるようにする。大きな波長変化が得られるようにする。【構成】 電流注入によって光学的利得が発生する活性ストライプ2と、その一端に設けられたレーザビームの出射角を調整する光ビーム掃引器3と、光をコリメートするための機構としてのレンズ4と、回折格子5とが半導体基板1a上に集積化される。レーザ共振器は活性ストライプ2の一方の端部(半導体のへき開面など)と回折格子5との間で構成される。活性ストライプ2からのレーザ光が回折格子5に入射する角度は、光ビーム掃引器3によりビーム角を変えることにより調整がなされる。ここで、光ビーム掃引器3によりビーム角度を変えると、活性ストライプ2に戻る光の波長が変化するため、発振波長を可変することができる。

Claim (excerpt)：

電流注入により光学的利得が発生する活性ストライプと、該活性ストライプの一方の端部に設けられた反射鏡と、該活性ストライプの他方の端部に設けられた、水平面内での光の進行方向を電気的に変えることができる光ビーム掃引器と、該光ビーム掃引器の出射光を伝搬させるスラブ光導波路と、該スラブ光導波路の先端部に設けられた回折格子と、が半導体基板上に集積化され、前記反射鏡と前記回折格子との間に共振器が形成されていることを特徴とする波長可変半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-293683
  
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-015672   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-146681
  
• 特開昭63-305581