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J-GLOBAL ID：200903073609521140

電力素子用プラスチックパッケージ構造及びその組立方法

Inventor： 金 東球 ,  宋 民奎 ,  朴 性洙 ,  姜 承求 ,  尹 亨鎭 ,  朴 亨茂
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国電子通信研究所
Agent (1)： 富田 和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159894
Publication number (International publication number)：1995078900
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 素子の高周波特性を向上させるとともに、大量生産に適するように組立工程の規格化を図り、その素子の組立費用を節減することができるパッケージ構造、および、素子組立方法を提供する。【構成】 リードフレーム1に放熱板7を付着する工程と、電力素子チップ9と熱膨脹係数の差違から発生される熱応力を除去する工程と、高周波特性の向上のためにリードをインピーダンス整合されるように製造し、ノイズ遮蔽をするための工程と、エポキシを利用してプラスチックモールディングをする工程等を有する。

Claim (excerpt)：

ソース電極とドレイン電極及びゲート電極を有する電力半導体素子のパッケージ構造において、電力半導体チップ(9)の装着のためのリードフレーム(1)を備え、このリードフレーム(1)は、ソース電極用リードと、ドレイン電極用リードと、ゲート電極用リードと、連結部材(5,6)により支持されて、二つの面を有し、この二つの面の中で上記半導体チップ(9)が装着される何れかの一面の背面方向に陥没される載置部(2)とを含むものであり、さらに、上記載置部(2)の上記背面に付着される放熱板(7)と、上記載置部(2)の二つの面の中で上記半導体チップ(9)が装着される何れかの一面上に付着され、上記半導体チップ(9)の熱膨脹係数と類似する熱膨脹係数を有するコバル基板(8)と、上記半導体チップ(9)に所定の厚さに塗布されるポリイミド層と、半田づけにより上記載置部(2)上に付着される金属キャップ(11)と、上記金属キャップを塗布するエポキシ樹脂層とを含み、上記半導体チップ(9)は、半田づけにより上記コバル基板(8)上に接着され、上記半導体チップ(9)の上記電極各々は、半田づけにより上記リードフレーム(1)のリード各々にワイヤを通じて接続されることを特徴とする電子素子用プラスチックパッケージ構造。

IPC (4)：

H01L 23/04 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/48