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J-GLOBAL ID：200903073614234523

半導体電極の製造方法、半導体電極、およびその用途

Inventor： 中村 善貞
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000321170
Publication number (International publication number)：2002134435
Application date： Oct. 20, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】簡便なパターニング法による多孔質半導体電極の製造方法、この方法により製造された電極およびこの電極を用いた光電変換素子を提供すること。【解決手段】半導体微粒子層を有する電極に、電磁波を照射してパターニングすることからなる半導体電極の製造方法、この方法により製造された半導体電極、およびこれを用いた光電変換素子が提供される。

Claim (excerpt)：

半導体微粒子層を有する電極に、電磁波を照射してパターニングすることを特徴とする半導体電極の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (5)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/283 A ,  H01M 14/00 P ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/04 Z

F-Term (21)：

4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD73 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD88 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118CB20 ,  4M118EA01 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB02 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032CC17 ,  5H032EE16