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J-GLOBAL ID：200903073617797901

超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置

Inventor： 伊藤 佳孝 ,  岡 徹雄 ,  柳 陽介 ,  吉川 雅章
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996249147
Publication number (International publication number)：1998074622
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 捕捉可能磁場特性に優れた超電導体に,コンパクトな装置で高い磁場を捕捉させることができる,超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置を提供すること。【解決手段】 超電導遷移温度TC 以下の温度に冷却した超電導体にパルス磁場を印加することにより,上記超電導体に着磁する方法において,上記パルス磁場の印加は,上記超電導体の温度を下げながら複数回繰り返して行う。

Claim (excerpt)：

超電導遷移温度TC 以下の温度に冷却した超電導体にパルス磁場を印加することにより,上記超電導体に着磁する方法において,上記パルス磁場の印加は,上記超電導体の温度を下げながら複数回繰り返して行うことを特徴とする超電導体の着磁方法。

IPC (2)：

H01F 13/00 ZAA ,  H01F 6/00 ZAA

FI (2)：

H01F 13/00 ZAA A ,  H01F 7/22 ZAA A