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J-GLOBAL ID：200903073637098910

半導体発光素子

Inventor： 伊藤 彰浩
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000311904
Publication number (International publication number)：2002118330
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 六方晶系のZnO 系材料を用いて環境に配慮した、緑色から紫外の広い領域光の半導体発光素子を得る。【解決手段】 活性層101が少なくともZn元素とO 元素を含み、かつ、活性層101がさらにS,Se,Te のうち少なくとも1種以上の元素を含み、クラッド層102、103の少なくとも1つがZn元素とO 元素を含み、かつ、活性層101、クラッド層102、103の結晶系が六方晶系である。六方晶ZnO は、励起子結合エネルギーが大きいため、室温においても高密度の励起子が存在するので高い発光効率が見込める。発光層は、六方晶ZnO を主体にした六方晶Zn(Ox )(X=S,Se,Te)の組成であるので、同様に、高い発光効率が見込める。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体を用いた活性層及び該II-VI族化合物半導体を用いた1つ又は2つのクラッド層を有する半導体発光素子において、前記活性層が少なくともZn元素とO 元素を含み、かつ、前記活性層がさらにS,Se,Te のうち少なくとも1種以上の元素を含み、前記クラッド層の少なくとも1つがZn元素とO 元素を含み、かつ、前記活性層、前記クラッド層の結晶系が六方晶系であること、を特徴とする半導体発光素子。

F-Term (10)：

5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35