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J-GLOBAL ID：200903073640293678

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 小池 晃
Applicant, Patent owner： 株式会社シチズン電子
Agent (1)： 浅川 哲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000279076
Publication number (International publication number)：2002094123
Application date： Sep. 14, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 色調むらを起こさずに均一な発光輝度が得られるような波長変換基板を備えた表面実装型の発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 素子基板22をサファイアガラスで構成し、その表面にn型半導体23とp型半導体24からなる発光層27と、n型電極25及びp型電極26が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体において、前記素子基板22の裏面にセレン化亜鉛系化合物半導体で形成された波長変換基板28が接着固定された発光素子チップ21を形成した。そして、この発光素子チップ21を外部接続用電極32,33が形成された回路基板31上に実装して表面実装型の発光ダイオードを形成した。

Claim (excerpt)：

素子基板をサファイアガラスで構成し、その表面に発光層と電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体において、前記素子基板の裏面にセレン化亜鉛系化合物半導体で形成された波長変換基板を接着固定した発光素子チップを備えてなることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/88

FI (5)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/88

F-Term (20)：

4H001CA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  5F041AA11 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA43 ,  5F041CA46 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA39 ,  5F041DA43 ,  5F041DA92 ,  5F041DC23 ,  5F041DC26 ,  5F041EE25