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J-GLOBAL ID：200903073652845765
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992171784
Publication number (International publication number)：1993343369
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【構成】 アッシング用ガスとして、酸素に希ガスを混合したものを用いる。希ガスとしてはアルゴンを用いたときは、酸素に対するアルゴンの混合比としては体積比で70%から95%とした場合に、とくに高速でかつ良好なアッシングを行うことができる。【効果】 アッシングに必要な酸素ラジカルの生成を促進し、アッシング効率を高めることが可能となり、アッシング時間を短縮することができる。
Claim (excerpt)：
エッチングマスクやイオン注入阻止膜として用いたレジストをアッシングする方法は、アッシングガスに希ガスと酸素とを混合したものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
