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J-GLOBAL ID：200903073658876727

シリコンウェハの研磨方法

Inventor： 左光 大和
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243811
Publication number (International publication number)：1997063996
Application date： Aug. 29, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 化学機械研磨法(CMP法(Chem-Mech Polishing Method))によりシリコンウェハを研磨するに当たり、アルカリ金属によるシリコンウェハの汚染を防止しつつシリコンウェハの表面を研磨して平坦化する。【解決手段】 スラリー導入管26から、コロイダルシリカが混入された、0.1wt%以上5.0wt%以下の濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を供給し、このTMAH水溶液をシリコンウェハ21と研磨用パッド24との間に介在させてシリコンウェハ21の表面を研磨する。TMAHにはアルカリ金属が含まれていないので、シリコンウェハ21が汚染されることがない。

Claim (excerpt)：

シリコンウェハと研磨用パッドとの間に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(以下、「TMAH」という)水溶液を介在させて前記シリコンウェハの表面を研磨することを特徴とするシリコンウェハの研磨方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00

FI (4)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  B24B 1/00 A ,  B24B 37/00 F