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J-GLOBAL ID：200903073661681350

半導体装置

Inventor： クライソン トロンナムチャイ
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004632
Publication number (International publication number)：1993190561
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】エミッタにバラスト抵抗を接続することなく、コレクタの電流集中化を防止しターンオフ特性を改善するに好適なパワー・バイポーラ・トランジスタを提供する。【構成】N+半導体基板1上にP+ベース領域3を形成し、ベース領域3に接してP+ベース引出し領域4と第1のP+カソード領域13を形成し、ベース領域3の所定位置にN+フローティングエミッタ領域12とN+カソード領域14を形成し、N+フローティングエミッタ領域12とN+カソード領域14の中間のベース領域3の表面にゲート絶縁層16を介してゲート電極Gを接続し、ベース引出し領域4にベース電極18を接続し、第1のカソード領域13と第2のカソード領域14が共にカソード電極Kに接続された半導体装置。

Claim (excerpt)：

第1の導電形を有する半導体基板と、前記半導体基板の一主面に形成した第2の導電形を有するベース領域と、前記ベース領域に接して独立にそれぞれ形成した、前記ベース領域と同じ導電形を有する高不純物濃度のベース引き出し領域及び第1のカソード領域と、前記ベース領域内の所定個所に形成した、第1の導電形を有する高不純物濃度のフローティングエミッタ領域並びに第2のカソード領域と、前記フローティングエミッタ領域と前記第2のカソード領域によって挾まれた前記ベース領域の一主面にゲート絶縁層を介して形成したゲート電極と、前記高不純物濃度のベース引き出し領域に接続したベース電極と、前記第1のカソード領域と前記第2のカソード領域が共に短絡接続されたカソード電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 321 J