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J-GLOBAL ID：200903073670046497

水素貯蔵体

Inventor： 尾野 成樹
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000019769
Publication number (International publication number)：2001208295
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、できるだけ大量の水素ガスを、軽量で運搬容易な、かつ低圧力で貯蔵することのできる水素貯蔵体を提供することを目的とする。【解決手段】本発明では、例えば触媒としてシリカに担持させた10wt%Ni-SiO2を反応槽1中の触媒充填容器3に40g充填する。反応槽2を赤外線ヒーター4で530°Cに加熱し、その後水素(1L/min)で60min触媒を還元してから、反応ガスの水素と二酸化炭素を反応槽1下部からH2:CO2=5:2.5(L/min)の流量で導入し、2時間反応させ、水素貯蔵体を製造する。

Claim (excerpt)：

一端もしくは両端がグラファイトで閉じられている内部空間を有するグラファイトナノファイバーに水素を貯蔵してなる水素貯蔵体。

IPC (5)：

F17C 11/00 ,  B01J 20/20 ,  C01B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127

FI (5)：

F17C 11/00 C ,  B01J 20/20 B ,  C01B 3/00 B ,  C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127

F-Term (21)：

3E072AA10 ,  3E072EA10 ,  4G040AA33 ,  4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G066AA04B ,  4G066BA16 ,  4G066CA38 ,  4G066DA05 ,  4G066FA17 ,  4G066FA21 ,  4L037CS03 ,  4L037CS04 ,  4L037FA03 ,  4L037FA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA18 ,  4L037UA20