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J-GLOBAL ID：200903073673757351

半導体装置

Inventor： 山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993072248
Publication number (International publication number)：1994283645
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基台とリードフレームとの密着性が良い低コストの中空パッケージ構造の半導体装置を提供する。【構成】 リードフレーム2の表面に導電性有機被膜3aを形成する。このため、プラスチックモールドで作製される基台4とリードフレーム3との密着性が良くなる。また、リードフレーム3表面への導電性有機被膜3aの形成は、例えば、ディッピング(浸漬)処理で行えるので、コストも低減できる。

Claim (excerpt)：

半導体チップに接続されるリードフレームを有する中空プラスチックモールドパッケージ構造の半導体装置において、上記リードフレームの表面に導電性有機被膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/08 ,  H01L 27/14