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J-GLOBAL ID：200903073679832460

架橋型高分子固体電解質の製造方法

Inventor： 平原 和弘 ,  中西 暢
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000014703
Publication number (International publication number)：2000281737
Application date： Jan. 24, 2000
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高分子系の固体電解質において、優れたフィルム強度と高イオン伝導性及びフィルムヘの成形・加工性を有する、高温作動型の大型二次電池に最適な架橋型高分子固体電解質の製造方法を提供する。【解決手段】 下記繰り返し単位からなるブロック鎖Aと、下記繰り返し単位からなるブロック鎖B及び/又は下記繰り返し単位からなるブロック鎖Cから構成されるブロック-グラフト共重合体に、一般式IVの反応性ポリアルキレンオキサイドとリチウム系無機塩を添加し、この反応性ポリアルキレンオキサイドを架橋反応させた架橋型高分子固体電解質の製造方法。【化1】

Claim (excerpt)：

一般式Iで表わされる繰り返し単位からなるブロック鎖Aと、一般式IIで表わされる繰り返し単位からなるブロック鎖B及び/又は一般式IIIで表わされる繰り返し単位からなるブロック鎖Cから構成されるブロック-グラフト共重合体に、一般式IVで表わされる反応性ポリアルキレンオキサイドとリチウム系無機塩を添加し、この反応性ポリアルキレンオキサイドを架橋反応させることを特徴とする架橋型高分子固体電解質の製造方法。【化1】(ここに、R1は水素原子、メチル基又はエチル基、R2は水素原子又はメチル基、R3はアルキル基、アリール基、アシル基、シリル基又はシアノアルキル基、nは1〜100の整数である。また、式中下記I-aで表わされるグラフト鎖の数平均分子量は45〜4,400である。)【化2】(ここに、R4は水素原子、メチル基又はエチル基、Mは式-CH=CH2、-C(CH3)=CH2、-COOCH3若しくは-COOC2H5で表わされる基、フェニル基又は置換フェニルである。)【化3】(ここに、R9は水素原子、メチル基又はエチル基、R10〜R12はメチル基又はエチル基である。)【化4】(ここに、R5とR6は水素原子又はメチル基、R7はH2C=CHCO-、H2C=C(CH3)CO-、ビニル基、アリル基、エポキシド、炭素数25以下のアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基、R8はエチレンオキサイド又はテトラメチレンオキサイドである。kとmは共に0〜25の整数であるが、同時に0になることはなく、一方が0の場合には必ず他方が1以上の整数になる。Xは-PhC(CH3)2PhO-又は単結合を示す。なお、Phはフェニレン基を示す。)

IPC (7)：

C08F299/02 ,  C08F293/00 ,  C08J 3/24 CER ,  H01B 13/00 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/40 ,  H01B 1/06

FI (7)：

C08F299/02 ,  C08F293/00 ,  C08J 3/24 CER Z ,  H01B 13/00 Z ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 B ,  H01B 1/06 A