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J-GLOBAL ID：200903073693443329
半導体ヒートシンク用複合材料及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997359101
Publication number (International publication number)：1999029379
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】実際の電子部品(半導体装置を含む)等で求められる熱膨張率と熱伝導率とのバランスに適合した特性を得る。【解決手段】高圧容器を初期状態にして(S1)、第1室を下方に位置させた後、銅又は銅合金を第1室に入れ、SiCを第2室にセットする(S2)。その後、高圧容器を密封した後、吸気管を通じて高圧容器内の真空引きを行う(S3)。その後、ヒータに通電して第1室の銅又は銅合金を加熱溶解する(S4)。第1室内の溶融銅が所定温度に達した段階で、高圧容器を180度転回させて(S5)、溶融銅にSiCが浸された状態にする(S6)。その後、ガス導入管を通じて高圧容器内に含浸用ガスを導入して、該高圧容器内を加圧することにより、溶融銅をSiC中に含浸させる。その後、高圧容器を180度転回させた後(S7)、ガス導出管を通じて高圧容器内の含浸用ガスを排気すると同時に、ガス導入管を通じて冷却用ガスを高圧容器内に導入して高圧容器を冷却する(S8)。
Claim (excerpt)：
銅の熱膨張率よりも低い熱膨張率をもつ多孔質体を予備焼成してネットワーク化することによって得られる多孔質焼結体に銅又は銅合金が含浸されて構成され、少なくとも200°Cにおける熱膨張率が、前記銅又は銅合金と前記多孔質焼結体との比率から化学量論的に得られる熱膨張率よりも低い特性を有することを特徴とする半導体ヒートシンク用複合材料。
IPC (3)：
C04B 41/88
, C22C 9/00
, H01L 23/373
C04B 41/88 U
, C22C 9/00
, H01L 23/36 M
