Pat
J-GLOBAL ID：200903073721148818
窒化物半導体レーザ
Inventor：
,
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007062277
Publication number (International publication number)：2008227095
Application date： Mar. 12, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：
【課題】回折格子としてフォトニック結晶構造を含む窒化物半導体レーザで、好適なΓwell、Γpcを提供すると共にAlGaN内の内部応力を低減する。【解決手段】二次元回折格子層17は、二次元フォトニック結晶構造21を有しており、また第1導電型クラッド層13と第2導電型クラッド領域15との間に設けられる。活性層19は、第1導電型クラッド領域13と二次元回折格子層17との間に設けられる。第1導電型クラッド領域13は、少なくとも第1および第2のAlGaN層25、27を含む。第1のAlGaN層25は第2のAlGaN層27と活性層19との間に設けられ、第1のAlGaN層25は第1導電型クラッド層13において活性層19に最も近い。第1のAlGaN層25のAl組成は第1導電型クラッド領域13において最も大きく、第2のAlGaN層27のAl組成は第1のAlGaN層25のAl組成よりも小さい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
AlGaN半導体からなる第1導電型クラッド領域と、
AlX1Ga1-X1N半導体(0<X1≦1)からなる第2導電型クラッド領域と、
InX2AlX3Ga1-X2-X3N(0≦X2≦1、0≦X3≦1)からなる部分と該InX2AlX3Ga1-X2-X3Nよりも低い屈折率を有する低屈折率の部分とによって構成された二次元フォトニック結晶構造を有しており、前記第1導電型クラッド層と前記第2導電型クラッド領域との間に設けられた二次元回折格子層と、
前記第1導電型クラッド領域と前記二次元回折格子層との間に設けられており、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる活性層と
を備え、
前記第1導電型クラッド領域は、少なくとも第1および第2のAlGaN層を含み、
前記第1のAlGaN層は前記第2のAlGaN層と前記活性層との間に設けられており、
前記第1のAlGaN層のアルミニウム組成は前記第1導電型クラッド領域において最も大きく、
前記第2のAlGaN層のアルミニウム組成は前記第1のAlGaN層のアルミニウム組成よりも小さい、
前記第1のAlGaN層は前記第1導電型クラッド層において前記活性層に最も近い、ことを特徴とする窒化物半導体レーザ。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (13)：
5F173AB13
, 5F173AB19
, 5F173AB90
, 5F173AC70
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP14
, 5F173AP20
, 5F173AP73
, 5F173AP79
, 5F173AR81
, 5F173AR99
Cited by applicant (1)
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窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-027981
Applicant：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
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