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J-GLOBAL ID：200903073742060546

半導体装置の製造方法

Inventor： 西脇 徹
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228572
Publication number (International publication number)：1995086397
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウム合金膜でコンタクト窓の埋め込みを行い、高い信頼性の配線層を形成する。【構成】 半導体基板1上に形成した層間絶縁膜2を、ホトレジストをマスクにしてエッチングし、コンタクト窓3を形成する。次に、その上にスパッタ法を用いてTi膜4を20nmの厚さに被着形成する。続いて、さらにその上に、スパッタ法を用いてTiN膜5を100nm被着する。続いて、Ti膜6をスパッタ法を用いて10nmの厚さに被着形成する。次に、半導体基板を550°Cに加熱して、スパッタ法を用いて、コンタクト窓3を埋め込みながらアルミニウム合金膜7を約800nmの厚さに被着形成して、アルミニウム合金膜による埋め込みを完了する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を被着する工程と、前記絶縁膜にコンタクト窓を形成する工程と、前記絶縁膜上および前記コンタクト窓部分に露出した半導体基板上に第1の高融点金属膜を被着する工程と、前記第1の高融点金属膜上に第2の高融点金属膜を被着する工程と、前記第2の高融点金属膜上に第3の高融点金属膜を被着する工程と、前記第3の高融点金属膜上にアルミニウム合金を主体とした配線層を形成し、上記コンタクト窓を埋め込む工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R