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J-GLOBAL ID：200903073743388944

プロトン伝導性薄膜電解質

Inventor： 古関 恵一 ,  岩崎 浩之 ,  出水 祐三 ,  大戸 奈津子 ,  櫻田 智
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993214472
Publication number (International publication number)：1995065624
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜電解質のイオン伝導率を向上させる。【構成】 高分子微多孔膜にプロトン伝導性固体電解質〔H3 PO4 (WO3 )12・29H2 O,ZrO(H2 SO4 )2 ・7H2 O,H3 OUO2 PO4 ・3H2 Oなど〕を含有又は保持させ(通常、アルミナ等の担体を用いる)、空孔中にプロトン伝導性電解質溶液を充填、固定する。10-3S/cm以上のイオン伝導率が可能である。

Claim (excerpt)：

高分子微多孔膜の空孔中にプロトン伝導性の電解質溶液を充填、固定化した実質的に固体の薄膜電解質であり、かつ高分子微多孔膜にプロトン伝導性の固体電解質を保持させたことを特徴とするプロトン伝導性薄膜電解質。

IPC (5)：

H01B 1/06 ,  C08K 3/00 KAA ,  C08L101/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10