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J-GLOBAL ID:200903073745928008

透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 泉名 謙治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992309337
Publication number (International publication number):1994139822
Application date: Oct. 23, 1992
Publication date: May. 20, 1994
Summary:
【要約】【構成】SbをドープしたSnO2 微粒子あるいはSnをドープしたIn2 O3微粒子の少なくとも1種を全固形分量に対し、酸化物換算で50〜95重量%、粒径800Å以下のTiO2 微粒子を全固形分量に対し酸化物換算で1〜40重量%含む溶液を基体上に塗布した後、加熱かつ/または紫外線を照射する。【効果】高強度、高屈折率を有する低抵抗透明導電膜を提供できる。
Claim (excerpt):
SbをドープしたSnO2 微粒子あるいはSnをドープしたIn2 O3 微粒子の少なくとも1種を全固形分量に対し、酸化物換算で50〜95重量%、粒径800Å以下のTiO2 微粒子を全固形分量に対し酸化物換算で1〜40重量%含む溶液を基体上に塗布した後、加熱かつ/または紫外線を照射することにより得られることを特徴とする透明導電膜。
IPC (3):
H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 9/20

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