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J-GLOBAL ID：200903073746710316

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 志賀 俊彦 ,  服部 亮 ,  奥 友希
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154642
Publication number (International publication number)：1995030095
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 加熱により両者の接続部において金属間化合物を形成する,互いに異なる金属からなる電極と配線が、加熱しても両者の接続部に金属間化合物が形成されないように接続された半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上にAu電極4aと、該Au電極4aを覆うように絶縁膜7を形成し、該絶縁膜2にその底部に上記Au電極4aの表面が露出するコンタクトホール7aを形成し、上記露出したAu電極4aの表面,コンタクトホール7aの内周面及び上記絶縁膜7上に反応性スパッタによりWSiN膜8を形成し、上記WSiN膜8上に配線用のAl膜9を形成し、この後、WSiN膜8とAl膜9を所定パターンにパターニングする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にて、電極と、該電極とは異なる金属からなる配線とを接続してなる半導体装置において、上記電極及び上記配線の何れに接触して加熱されてもこれらとの間で固相拡散が起こらないバリアメタル層を介して、上記電極と配線とが接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 29/46 R ,  H01L 21/90 D