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J-GLOBAL ID：200903073749427682

2次元密着型イメージセンサ

Inventor： 安部 勉 ,  三宅 弘之
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993195566
Publication number (International publication number)：1995030084
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 解像度を低下させること無く感度を向上させ、消費電力を小さくし、薄膜トランジスタのスイッチング特性が良好な2次元密着型イメージセンサを提供する。【構成】 スイッチング素子としての薄膜トランジスタ6のチャネル領域20′を遮光する遮光層の配線と受光素子2に一定電圧を供給するバイアス線11とを共通にした2次元密着型イメージセンサである。【効果】 遮光層の配線とバイアス線11とを兼用することで受光面積を広くできるので、解像度を損なうことなく感度を向上させ、バイアス線11をアルミニウムとすることで配線抵抗を小さくして消費電力を抑え、ゲート線10とバイアス線11との交差部の容量を小さくしてゲートパルスへの悪影響を小さくし、良好なスイッチング特性を得ることができる効果がある。

Claim (excerpt)：

受光素子と、前記受光素子に接続するスイッチング素子としての薄膜トランジスタとを具備する画素が基板上に2次元のマトリクス状に配列された2次元密着型イメージセンサにおいて、前記薄膜トランジスタのチャネル領域を遮光する遮光層の配線と前記受光素子に一定電圧を供給するバイアス線とを共通にしたことを特徴とする2次元密着型イメージセンサ。