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J-GLOBAL ID：200903073760287132

プラズマCVD装置及びそのクリーニング方法

Inventor：
簗瀬 清志

About 簗瀬 清志


Applicant, Patent owner：
鹿児島日本電気株式会社

About 鹿児島日本電気株式会社


Agent (1)： 机 昌彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001351328
Publication number (International publication number)：2003155569
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：
【要約】【課題】従来のプラズマCVD装置のクリーニングでは、薄膜成膜時の電極に通常印加する電圧よりも大きな電圧を印加するために、プラズマが広範囲に渡って生じるとともに、プラズマ密度に疎密が生じ、プラズマ密度が密である部分はエッチング速度が速く、電極部にプラズマによるダメージを生じさせ、電極部に堆積した薄膜のパーティクルを発生させ、歩留り悪化の原因ともなっている。【解決手段】チャンバー内に成膜用の対向する電極1、2以外に、チャンバー壁3近傍に上下左右可動の電極5、6を設け、この電極によりチャンバー壁3に堆積した薄膜をクリーニングするので、従来の成膜用の電極では十分にできなかったチャンバー壁3のクリーニングをほぼその全面に渡って、成膜用の電極にダメージを与えることなく行うことが出来る。
Claim (excerpt)：
チャンバー内中央部に対向して配設された第1電極及び第2電極を含む複数の電極群と、前記複数の電極群に電圧を印加する電源と、を有するプラズマ化学気相成長装置であって、前記複数の電極群は、チャンバー内にあって、前記第1電極及び前記第2電極の対向する方向に対して交差する方向のチャンバー内壁近傍に可動の第3電極を有することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N
F-Term (22)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  5F004AA15 ,  5F004BA05 ,  5F004BA07 ,  5F004BD04 ,  5F004DA17 ,  5F004DB00 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045DP02 ,  5F045EB06 ,  5F045EH06 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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