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J-GLOBAL ID：200903073794680500

金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて分光増感されたナノ-多孔質金属酸化物半導体

Inventor：
アンドリーセン,ヒエロニムス

About アンドリーセン,ヒエロニムス


Applicant, Patent owner：
アグフア-ゲヴエルト

About アグフア-ゲヴエルト


Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004528514
Publication number (International publication number)：2006501640
Application date： Jul. 29, 2003
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
少なくとも1種の金属カルコゲニドを含有する2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて内部及び外部表面上においてその場で分光増感された2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物半導体であって、ナノ-多孔質金属酸化物がさらにリン酸又はリン酸塩を含有することを特徴とするナノ-多孔質金属酸化物半導体;ならびに2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物半導体をその内部及び外部表面上において、少なくとも1種の金属カルコゲニドを含有する2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属カルコゲニドナノ粒子を用いてその場で分光増感するための方法であって、ナノ-多孔質金属酸化物を金属イオンの溶液と接触させ;ナノ-多孔質金属酸化物をカルコゲニドイオンの溶液と接触させる段階を含んでなる金属カルコゲニド-生成サイクル;ならびに金属カルコゲニド生成に続いてリン酸又はリン酸塩を含有する水溶液でナノ-多孔質金属酸化物を濯ぐことを含んでなる方法。
Claim (excerpt)：
少なくとも1種の金属カルコゲニドを含有する2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて内部及び外部表面上においてその場で分光増感された2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物半導体であって、該ナノ-多孔質金属酸化物がさらにリン酸又はリン酸塩を含有することを特徴とするナノ-多孔質金属酸化物半導体。
IPC (5)：
H01L 31/04 ,  C01G 21/21 ,  C01G 23/04 ,  C01G 29/00 ,  H01M 14/00
FI (5)：
H01L31/04 Z ,  C01G21/21 ,  C01G23/04 Z ,  C01G29/00 ,  H01M14/00 P
F-Term (25)：
4G047CA02 ,  4G047CB09 ,  4G047CC03 ,  4G047CD03 ,  4G048AA07 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  5F051AA14 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA21 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032BB10 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032HH07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第4,927,721号明細書
  • 米国特許第5,350,644号明細書
  • 特公平05-504023号公報
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