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J-GLOBAL ID：200903073797155260

面発光半導体レーザ素子

Inventor： 横内 則之 ,  粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000089393
Publication number (International publication number)：2001156395
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 発振横モードの制御が可能な面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 上部反射鏡層構造2と下部反射鏡層構造5との間に発光層4を配置した半導体材料の層構造が基板1の上に形成され、上部反射鏡層構造5の上部に位置する開口部の一部を、誘電体膜8,8Aのような、レーザ光の発振波長に対して透明な層で被覆してレーザ光の出射窓6Aが形成されていて、出射窓6Aの平面視形状を変化させることにより、レーザ光の発振横モードの制御が可能である面発光半導体レーザ素子。

Claim (excerpt)：

上部反射鏡層構造と下部反射鏡層構造との間に発光層を配置した半導体材料の層構造が基板の上に形成され、前記上部反射鏡層構造の上方には、平面視形状が円環形状をした上部電極が形成され、前記上部電極の内側が開口部になっている面発光半導体レーザ素子において、前記開口部の一部表面を被覆して、発振レーザ光の発振波長に対して透明な層が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。

F-Term (8)：

5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA18