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J-GLOBAL ID：200903073799682403

触媒CVD装置

Inventor： 大園 修司 ,  浅利 伸 ,  斎藤 一也 ,  坪井 秀夫 ,  安藤 暢弘 ,  岡山 智彦
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (2)： 北村 欣一 ,  原嶋 成時郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004146648
Publication number (International publication number)：2005327995
Application date： May. 17, 2004
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

【課題】基板を垂直に保持する構成や基板を水平に配置する構成においても活性化あるいは分解によって生成された堆積種を基板面内に均一に堆積させることができる触媒CVD装置を提供する。【解決手段】略垂直に設置された基板ホルダー5a、5bの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器8a、8bをそれぞれ設けて、基板ホルダー5a、5bの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔7を形成し、ガス導入系から導入管9a、9bを通して反応ガス溜め込み容器8a、8b内に反応ガスを導入して、反応ガス溜め込み容器8a、8b内に溜め込んだ反応ガスをガス噴出し孔7を通して基板ホルダー5a、5bの基板保持面側に噴出させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

排気系の稼動により圧力調整可能な反応容器と、前記反応容器内で基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に反応ガスを導入するガス導入系と、前記基板ホルダーの基板保持面側と対向するようにして設けた触媒体とを備え、前記ガス導入系から前記反応容器内に導入される反応ガスを通電により高温に加熱された前記触媒体により活性化あるいは分解して生成された堆積種を、前記基板ホルダーに保持された基板に堆積して成膜を行なう触媒CVD装置において、 前記基板ホルダーの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器を設けて、前記基板ホルダーの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔を形成し、前記ガス導入系から前記反応ガス溜め込み容器内に反応ガスを導入して、前記反応ガス溜め込み容器内に溜め込んだ反応ガスを前記ガス噴出し孔を通して前記基板ホルダーの基板保持面側に噴出させる、 ことを特徴とする触媒CVD装置。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

FI (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

F-Term (23)：

4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  4K030GA02 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB02 ,  5F045DP13 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EE01 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EM02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 化学蒸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108970   Applicant：アネルバ株式会社

Cited by examiner (4)

• ダイヤモンドの製造法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-176762   Applicant：住友電気工業株式会社
• 基板処埋装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-104011   Applicant：株式会社日立国際電気
• 化学蒸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108970   Applicant：アネルバ株式会社
• 特開昭64-072992