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J-GLOBAL ID：200903073800770001

半導体素子用ウエハ及び半導体素子の製造方法

Inventor： 西根 士郎
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992106248
Publication number (International publication number)：1993299362
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 動作層を破損することなく、成長基板から動作層のみを容易に除去することのできる半導体素子用ウエハ及び該ウエハを使用して半導体素子を高い歩留りで製造することのできる方法を提供しようとするものである。【構成】 成長基板と動作層の間に劈開性の優れた層状化合物からなる緩衝層を備えたことを特徴とする半導体素子用ウエハ、及び、成長基板上に劈開性の優れた層状化合物からなる緩衝層を形成し、該緩衝層上に動作層をエピタキシャル成長した後、上記動作層と成長基板を剥離し、半導体素子用支持基板に接合することを特徴とする半導体素子の製造方法である。

Claim (excerpt)：

成長基板上にエピタキシャル動作層を有する半導体素子用ウエハにおいて、成長基板と動作層の間に劈開性の優れた層状化合物からなる緩衝層を備えたことを特徴とする半導体素子用ウエハ。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 ,  H01L 27/12