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J-GLOBAL ID：200903073803320430

配向性強誘電体薄膜素子

Inventor： 梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992358050
Publication number (International publication number)：1994196648
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上に、金属薄膜を設けた配向性強電体薄膜素子を提供することを目的とし、本発明により高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変調素子などの素子を半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶基板上にエピタキシャルまたは配向性のバッファ薄膜が形成され、その上にエピタルシャルまたは配向性の金属薄膜が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜が形成された構造を有する。半導体単結晶基板にはSiまたはGaAsが使用でき、バッフア薄膜にはMgOまたはMgAl2 O4 が使用でき、金属薄膜にはPd、Pt、Al、AuまたはAgが使用でき、強誘電体薄膜にはABO3 型ペロブスカイトが使用できる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶基板上にエピタキシャルまたは配向性のバッファ薄膜が形成され、その上にエピタルシャルまたは配向性の金属薄膜が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜が形成されてなることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

IPC (5)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/86 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-055198
  
• 特開平4-199746
  
• 特開平1-280375