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J-GLOBAL ID：200903073822455665

SOI基板の製造方法

Inventor： 吉田 隆司 ,  工藤 貴裕 ,  池田 恭一
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264873
Publication number (International publication number)：1993109888
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 安価で汚染が無く、均一なSOI基板の製造方法を提供するにある。【構成】 SOI基板の製造方法において、n形の基板201上にエピタキシャル成長層よりなるp形シリコン層を形成する工程。該p形シリコン層に島状に少なくとも1個設けられたn形シリコン層203を形成する工程。前記基板を沸化水素酸204に浸け、光205を照射し、前記p形シリコン層を多孔質化する工程。該多孔質化したp形シリコン層206を酸化する工程。を具備したもの。

Claim (excerpt)：

SOI基板の製造方法において、以下の工程を有する事を特徴とするSOI基板の製造方法。(a)n形の基板上にエピタキシャル成長層よりなるp形シリコン層を形成する工程。(b)該p形シリコン層に島状に少なくとも1個設けられたn形シリコン層を形成する工程。(c)前記基板を沸化水素酸に浸け、光を照射し、前記p形シリコン層を多孔質化する工程。(d)該多孔質化したp形シリコン層を酸化する工程。

IPC (5)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-212141
  
• 特開昭56-043739