Pat

J-GLOBAL ID：200903073827355499

半導体用セラミックス放熱体およびその製造方法

Inventor： 請川 治平 ,  夏原 益宏 ,  下田 浩平 ,  仲田 博彦
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993212316
Publication number (International publication number)：1995050369
Application date： Aug. 04, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 切削や研磨などの工程を使わない安価な高性能の半導体用セラミック放熱体を提供する。【構成】 AlN焼結体のベース部1の表面に、AlNを主成分とするペースト2を塗布し、ペースト2上に、フィン部となるAlN焼結体板3を配置し、1600°Cの非酸化雰囲気で焼成して、半導体用セラミックス放熱体を製造する。

Claim (excerpt)：

AlNを主成分とする焼結体でそれぞれ構成された、板状のベース部と、ベース部の一面上に配置された複数のフィン部とを備える半導体用セラミックス放熱体において、ベース部とフィン部とが別々の部材であり、接合手段により接合されていることを特徴とする半導体用セラミックス放熱体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-036754
  
• 特開平2-149470
  
• 特開平2-226749