低屈折率の充填物を有する半導体LEDフリップチップ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002139811
Publication number (International publication number)：2003031858
Application date： May. 15, 2002
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】メサ壁における光の損失を最小にするLED構造。【解決手段】本発明によると、III族窒化物フリップチップ発光デバイスのメサ壁に屈折率の差異が生じる。屈折率の段差は、メサ壁に入射する光の多くをデバイスにはね返し、該デバイスで有効に光を取出すことができる。いくつかの実施形態において、サブマウント上のはんだ壁、或いは、発光デバイス及びサブマウントを被覆する高い屈折率のゲルは、発光デバイスとサブマウントの間に密封された隙間を生じる。この隙間は、低い屈折率を有する材料で充填される。他の実施形態では、高い屈折率の材料が発光デバイスの基板を覆い、低い屈折率の材料がサブマウントと発光デバイス間の隙間に充填される。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に重なるn型層と、前記n型層の上に重なる活性領域と、前記活性領域の上に重なるp型層と、前記n型層に結合されたn-コンタクトと、前記p型層に結合されたp-コンタクトと、を含み、前記n-コンタクト及び前記p-コンタクトがデバイスの同じ側に形成され、前記n-コンタクトがメサ壁によって前記p-コンタクトから隔離されたIII族窒化物発光デバイスと、前記発光デバイスに結合されたサブマウントと、前記III族窒化物発光デバイスと前記サブマウントの間の隙間と、前記隙間内の一定量の材料と、を含み、前記一定量の材料が、メサ壁に接し、低い屈折率を有することを特徴とする発光構造。

FI (2)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C

F-Term (11)：

5F041AA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CB11 , 5F041CB24 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA19 , 5F041DA44 , 5F041DA62 , 5F041DA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349964 Applicant：豊田合成株式会社
フィルタ付き半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-189565 Applicant：ローム株式会社
発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-191934 Applicant：日亜化学工業株式会社

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