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J-GLOBAL ID：200903073845963137

半導体装置の製造方法

Inventor： 斉藤 卓
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049241
Publication number (International publication number)：1993251539
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクトホールの形成状態をシリコン基板自身を破壊することなく観察し、その結果によりエッチング条件の最適化を行なう。【構成】 コンタクトホールの形成のエッチングの際に、まず標準条件でエッチングを行い、任意のコンタクトホール3を集束イオンビームを用いて7の部分の断面エッチングを行い、コンタクトホールの断面形状や底部3aの絶縁膜の残渣の有無を観察する。その観察結果によりコンタクトホールのエッチング条件の良否を判定する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に導電層と絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層をエッチングにより開口する工程と、前記導電層及び絶縁層の所定部分を集束イオンビームを用いてエッチングする工程と、前記所定部分の断面を斜上方より電子顕微鏡を用いて観察する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302