磁気抵抗効果膜およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334312
Publication number (International publication number)：1995202292
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】ゼロ磁場前後で直線的に抵抗変化し、しかも耐蝕性にすぐれた人工格子磁気抵抗効果膜を実現する。【構成】反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられた磁性層と軟磁性層が非磁性層を介して積層された人工格子磁気抵抗効果膜において、磁性層2と3の容易軸が直交するように成膜中印加磁界を90度回転する。反強磁性体5を酸化物反強磁性体あるいはその超格子とする。基板温度を150〜300°Cとして反強磁性体5と隣接する磁性層3を連続成膜する。非磁性層1の膜厚を20から30オングストロームとする。

Claim (excerpt)：

基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣あう一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けてあり、この反強磁性薄膜のバイアス磁界をH<SB>r </SB>、他方の軟磁性薄膜の保持力をH<SB>C2</SB>としたとき、H<SB>C2</SB><H<SB>r </SB>である磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体がNiO,CoO,FeO,Fe<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>,CrO,MnO,Crの少なくとも1種またはこれらの混合物からなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (4)：

H01L 43/02 , G11B 5/39 , H01F 10/12 , H01L 43/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018430 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭60-189906
特開昭60-154339

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