プラズマ薄膜堆積方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006540657
Publication number (International publication number)：2007512436
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

対象物の表面上に薄膜を堆積させるプラズマ薄膜堆積方法であって、1つまたは複数の不活性プラズマ発生ガスおよび前駆ガス中でプラズマを発生させ、このプラズマを処理表面上に噴射させる方法。1つまたは複数の前駆ガスは、少なくとも2つの成分、すなわち、飽和有機物質を含む第1の成分と、不飽和有機物質を含む第2の成分とを含み、第1の成分は、プラズマ・ゾーン内で実行されるプラズマ化学プロセスの後に単フリー結合を有する軽ラジカル源であり、第2の成分は、2つ以上のフリー結合を有する重ラジカル源である。

Claim (excerpt)：

1つまたは複数の不活性プラズマ発生ガスおよび前駆ガス中でのプラズマ発生と、処理表面上への前記プラズマの放射(projection)とを含む、処理対象物表面上へのプラズマによる薄膜堆積方法であって、前記1つまたは複数の前駆ガスが少なくとも2つの成分を含み、第1の前記成分が飽和有機物質を含み、第2の前記成分が不飽和有機物質を含み、前記第1の成分が、プラズマ・ゾーン内でのプラズマ化学プロセスの後で単フリー結合(single free bond)を有する軽ラジカル源であり、前記第2の成分が2つ以上のフリー結合を有する重ラジカル源となることを特徴とする方法。

IPC (2)：

C23C 14/12 , B05D 3/04

FI (2)：

C23C14/12 , B05D3/04 C

F-Term (23)：

4B021LA14 , 4B021LP10 , 4B021LT03 , 4D075BB49Z , 4D075CA42 , 4D075DA04 , 4D075DB18 , 4D075DB31 , 4D075DB48 , 4D075DC30 , 4D075DC36 , 4D075DC38 , 4D075EB12 , 4D075EB16 , 4D075EB24 , 4K029AA11 , 4K029AA29 , 4K029BA62 , 4K029BB04 , 4K029BC00 , 4K029CA12 , 4K029CA17 , 4K029KA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許第5569502号
国際出願PCT/IB02/01001号
欧州特許第1024222号

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Cited by examiner (5)

特開昭62-087209
生分解性プラスチック積層体及び生分解性プラスチック成型体の表面加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-134210 Applicant：工業技術院長
大気圧低温プラズマにより処理したDI缶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-342830 Applicant：昭和アルミニウム缶株式会社

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