Pat

J-GLOBAL ID：200903073859510054

配線形成方法

Inventor： 牛膓 哲雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992199687
Publication number (International publication number)：1994045463
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 信頼性の高い配線形成を行う。【構成】 絶縁層に形成されたコンタクトホール内をポリシリコンで埋め込み、これの上に金属層を被着形成して金属シリサイドによるプラグを形成しその後このプラグ表面をポリッシングして平坦化する。

Claim (excerpt)：

絶縁層に形成されたコンタクトホールをポリシリコンで埋め込む工程と、その後、これの上に低抵抗かつ上記シリコンと低抵抗シリサイドを形成し得る金属を被着形成する工程と、その後、シリサイデーションアニールを行う工程と、その後、上記金属のみを選択エッチングして金属シリサイドのプラグを形成する工程と、該プラグをその周辺とほぼ同一平面にするポリッシュによる平坦処理工程とを経ることを特徴とする配線形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205