IIIB族窒素化合物の合成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野田茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001010168
Publication number (International publication number)：2002220213
Application date： Jan. 18, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体超微粒子は、発光デバイスやディスプレイデバイス、光記録材料などへの応用が期待され、現在、II-VI族半導体の超微粒子が使用されている。しかしこれらは信頼性および耐久性に問題があった。そこでこれに替わる材料として窒化ガリウムがあるが、合成原料のガリウムイミドポリマーの取り扱いが非常に難しく、結晶表面をヘキサデシルアミンで処理するプロセスを設けなければならないため、製造コストの上昇をもたらしていた。【解決手段】トリス(ジメチルアミノ)ガリウムを、トリオクチルアミン中で加熱分解し、窒化ガリウムを合成した。得られた窒化ガリウムは、励起子ボーア半径の4倍よりも小さい微粒子状のものであった。

Claim (excerpt)：

少なくともIIIB族元素、窒素および炭素を含む化合物を、溶媒中で加熱して分解することを特徴とするIIIB族窒素化合物の合成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-217473
特開平2-263714
微細な盤状六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-248751 Applicant：大塚化学株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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