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J-GLOBAL ID：200903073873299919

半導体の欠陥密度測定装置および方法並びに半導体の欠陥散乱能測定装置および方法

Inventor： 渡辺 紀子
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998247973
Publication number (International publication number)：1999148903
Application date： Sep. 02, 1998
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】結晶欠陥の正確な評価に有効な半導体の欠陥密度測定装置および方法並びに半導体の欠陥散乱能測定装置および方法を提供する。【解決手段】半導体12の内部に存在する欠陥14が同一のサイズを有しているものと仮定し、レーザ光10の走査によって測定した散乱光16の強度をレーザ光10の減衰曲線に適用して、欠陥14が存在する深さdを決定することにある。このような構成により、各欠陥14の散乱能の差は、該各欠陥14が存在する深さdの差として表現される。その結果、サイズが異なる欠陥が分布している場合であっても、正確な欠陥密度を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体(12)内に存在する欠陥(14)の欠陥密度(ρ)を測定する欠陥密度測定装置において、レーザ光(10)を用いて前記半導体(12)の測定領域(R)を走査し、該測定領域(R)から得られた散乱光(16)の強度分布を測定する強度分布測定手段(100)と、前記強度分布測定手段(100)が測定した強度分布から欠陥散乱強度(36)を抽出する欠陥散乱強度抽出手段(102)と、前記欠陥散乱強度抽出手段(102)が抽出した欠陥散乱強度(36)を区分幅(ΔI)で複数の区間に区分する欠陥散乱強度区分手段(104)と、前記欠陥散乱強度区分手段(104)が区分した各区間の区間強度(In)を決定する区間強度決定手段(106)と、前記欠陥散乱強度区分手段(104)が区分した各区間の区間頻度(Fn)を導出する区間頻度導出手段(108)と、前記区間強度決定手段(106)が決定した前記各区間の区間強度(In)を前記レーザ光(10)の減衰曲線(18)に適用して、該各区間の区間深さ(Δdn)を求める区間深さ導出手段(110)と、前記区間頻度導出手段(108)が求めた区間頻度(Fn)と、前記区間深さ導出手段(110)が求めた区間深さ(Δdn)とを用いて、前記欠陥密度(ρ)を求める欠陥密度導出手段(112)とを具備することを特徴とする半導体の欠陥密度測定装置。

IPC (3)：

G01N 21/88 ,  G01N 21/00 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01N 21/88 E ,  G01N 21/00 B ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 N