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J-GLOBAL ID：200903073882983571

半導体装置

Inventor：
阿部 一英

About 阿部 一英


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005018390
Publication number (International publication number)：2006210511
Application date： Jan. 26, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：
【課題】 主配線材料であるAlと主電極材料であるPtとの反応を効果的に抑制することができる強誘電体キャパシタの配線構造を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の上方に形成される第1電極と、第1電極上に形成される金属酸化物誘電体からなる容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成される第2電極と、第2電極の上面の一部を露出する第1開口部を有し第1電極、容量絶縁膜及び第2電極を覆うように形成される絶縁膜と、第1開口部内及び絶縁膜上に形成されるアモルファス構造を有する第1バリア膜と、第1バリア膜の上方に形成される配線膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板の上方に形成される第1電極と、 前記第1電極上に形成される金属酸化物誘電体からなる容量絶縁膜と、 前記容量絶縁膜上に形成される第2電極と、 前記第2電極の上面の一部を露出する第1開口部を有し前記第1電極、前記容量絶縁膜及び前記第2電極を覆うように形成される絶縁膜と、 前記第1開口部内及び前記絶縁膜上に形成されるアモルファス構造を有する第1バリア膜と、 前記第1バリア膜の上方に形成される配線膜と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/90 A
F-Term (62)：
5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK07 ,  5F033LL06 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033SS09 ,  5F033SS11 ,  5F033XX28 ,  5F083FR02 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-060800   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
Cited by examiner (6)
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