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J-GLOBAL ID：200903073914841189

ビア中に自己整合銅拡散バリヤを形成する方法

Inventor： ロバート・エム・ゲフケン ,  ステファン・イー・ルース
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998116537
Publication number (International publication number)：1998340865
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 レベル間誘電体酸化物または他の絶縁体の銅毒作用を防ぐ方法を提供すること。【解決手段】 銅がレベル間誘電体中に拡散するのを防ぐために銅導体に接続されたビアの側壁上に銅拡散バリヤを形成する。ビア・エッチングの後で銅拡散バリヤの薄い膜をウエハ上に付着する。スパッタ・エッチングを実施して、ビアの底部からバリヤ材料を除去し、かつ銅導体から酸化銅を除去する。バリヤ材料は、スパッタ・エッチング中に側壁から除去されない。したがって、銅が誘電体に毒(腐食)作用を及ぼすのを防ぐために、再付着された銅に対するバリヤをビア側壁上に形成する。

Claim (excerpt)：

誘電体層中にビアを基板中に配置された銅導体までエッチングするステップと、前記ビアの側壁を覆い、かつ銅がその中に拡散するのを防ぐために選択されたバリヤ材料を前記誘電体層上および前記銅導体上の前記ビア中に付着するステップと、前記誘電体層および前記ビアの底部領域から前記バリヤ材料を除去し、かつ前記ビアの前記側壁上に前記バリヤ材料を残すために前記基板を方向性エッチングするステップであって、前記銅導体が方向性エッチング・ステップ中にエッチングされるステップと、前記ビアを導体で充填するステップとを含む、集積回路構造の製造中に銅毒作用を防ぐ方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-145356   Applicant：株式会社東芝