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J-GLOBAL ID：200903073931611987

バンプ形成方法

Inventor： 國友 美信 ,  阪下 靖之 ,  佐原 隆一 ,  斉藤 彰
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020950
Publication number (International publication number)：1993218044
Application date： Feb. 06, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウム電極上の金属膜形成プロセスが不要で、ばらつきが少なく、必要十分なはんだ量で形成できるバンプ形成方法を提供する。【構成】 半導体素子1に金バンプ2を形成する工程と、半導体素子1の金バンプ2の位置に対応する、はんだの濡れない基板3上の所定位置にクリームはんだ6を形成する工程と、基板3上のクリームはんだ6と半導体素子1の金バンプ2を位置合わせする工程と、位置合わせした状態で、リフローによりクリームはんだ6と金バンプ2とを溶融接続する工程と、半導体素子1を基板3より取り外す工程とを備えた。

Claim (excerpt)：

半導体素子に金バンプを形成する工程と、前記半導体素子の前記金バンプの位置に対応する、はんだの濡れない基板上の所定位置にクリームはんだを形成する工程と、前記基板上の前記クリームはんだと前記半導体素子の前記金バンプとを位置合わせする工程と、位置合わせした状態でリフローにより前記クリームはんだと前記金バンプとを溶融接続する工程と、前記半導体素子を前記基板より取り外す工程とを備えたバンプ形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の電極形成方法と実装体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-300124   Applicant：松下電器産業株式会社