新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006244193
Publication number (International publication number)：2007145803
Application date： Sep. 08, 2006
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【解決手段】下記式(1)で示されるスルホン酸塩。R1SO3-CH(Rf)-CF2SO3-M+ (1)(R1は置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜15のアリール基を示す。Rfは水素もしくはトリフルオロメチル基を示す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。)【効果】本発明のスルホン酸は、α位(及びγ位)、β位にそれぞれ電子吸引性基であるフッ素、スルホニルオキシ基を有しているため強い酸性度を示す。その上、エステル部を置換することにより、嵩の高いものから低いものまで様々な置換基の導入が容易で、分子設計の幅を大きく持つことができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。 R1SO3-CH(Rf)-CF2SO3-M+ (1)

IPC (8)：

C07C 309/73 , G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/075 , H01L 21/027 , C07C 381/12 , C07C 381/00 , C07D 207/46

FI (9)：

C07C309/73 , G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , G03F7/075 521 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , C07C381/12 , C07C381/00 , C07D207/46

F-Term (22)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BF07 , 2H025BF08 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 4C069AC30 , 4C069BC12 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB76

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-252064 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
感光性耐食膜組成物および方法ならびに同組成物を含む工業製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-043762 Applicant：シプレイ・カンパニー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー
ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-132546 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Show all

Cited by examiner (1)

光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-545309 Applicant：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

Return to Previous Page