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J-GLOBAL ID：200903073937739853

光集積型変位計測装置

Inventor： 船崎 純
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069467
Publication number (International publication number)：1994281414
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 マイクロマシン等の可動部の微小変位を最高分解能が数nm程度の高精度で計測することができ、かつその測定系の構成が小さく、基板上に集積可能で作成が容易な光集積型変位計測装置を提供すること。【構成】 微小開口型PSTMを検出光学系とし、PSTMの微小開口106に所定の周期構造を持つ基準格子108を微小距離隔てて配置し、PSTMと基準格子108との相対変位を計測する変位計測装置において、PSTMを、微小開口106を有する光反射膜109と、光反射膜109の基準格子108とは反対側に配置された平面型光導波路103と、光導波路103に光結合して微小開口106に光を照射する半導体レーザ104と、光導波路103に光結合して微小開口106からのエバネッセント光を検出する光検出器107とから構成し、これら103,104,107及び109を同一基板101に集積したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

微小開口からのエバネッセント光のパワー又は周波数シフト量を測定するフォトン走査トンネル顕微鏡を検出光学系とし、このフォトン走査トンネル顕微鏡の微小開口に所定の周期構造を持つ基準格子を微小距離隔てて配置し、これらフォトン走査トンネル顕微鏡と基準格子との相対変位を計測する変位計測装置において、前記フォトン走査トンネル顕微鏡は、前記微小開口を有する光反射膜と、この光反射膜の前記基準格子とは反対側に配置された平面型光導波路と、この光導波路に光結合されて前記微小開口に光を照射する半導体発光素子と、前記光導波路に光結合されて前記微小開口からのエバネッセント光を検出する光検出器とからなり、かつ前記光反射膜,半導体発光素子,光導波路及び光検出器を同一基板に集積してなることを特徴とする光集積型変位計測装置。