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J-GLOBAL ID：200903073982332640

プラズマCVD装置

Inventor：
寺山 暢之

About 寺山 暢之

, 
清水 信行

About 清水 信行


Applicant, Patent owner：
神港精機株式会社

About 神港精機株式会社


Agent (1)： 木村 正俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006010868
Publication number (International publication number)：2007191754
Application date： Jan. 19, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：
【課題】 不安定な陽極グローの発生によって、真空槽内の構成要素が損傷したり、被膜の品質が不安定になったりするのを、防止する。【解決手段】 この発明に係るプラズマCVD装置10によれば、真空槽10内に適宜のガスが導入された状態で、被処理物であるパイプ20,20,...に接地電位を基準とする非対称パルス電力Wpが供給されると、真空槽10内にプラズマが発生する。このとき、接地電位に接続された真空槽10が陽極として作用するため、当該真空槽10内に陽極グローが発生する。ただし、真空槽10内には、当該真空槽10よりも高電位とされた高融点金属製の補助アノード40が設けられているので、陽極グローはこの補助アノード40に集中する。つまり、陽極グローの発生位置が、補助アノード40に固定される。これによって、陽極グローが安定化され、当該陽極グローによる影響が排除される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
内部に被処理物が収容される真空槽を有し、該真空槽を陽極とし該被処理物を陰極とする第1電力の供給によって該真空槽の内部にプラズマを発生させながら該被処理物の表面に被膜を形成するプラズマCVD装置において、 上記真空槽の内部に設けられ該真空槽の電位よりも高電位の第2電力が供給される第3電極を具備することを特徴とする、プラズマCVD装置。
IPC (1)：
C23C 16/515
FI (1)：
C23C16/515
F-Term (15)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA37 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030CA15 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA30 ,  4K030LA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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