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J-GLOBAL ID：200903073986649428

半導体装置の洗浄方法

Inventor： 江川 雄一 ,  小林 敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198780
Publication number (International publication number)：1994045296
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウム配線形成時、RIE工程において、半導体基板上に付着、残留した塩素または塩素イオンを効果的にかつ特別な装置を用いることなしに除去することができる半導体装置の洗浄方法を提供することにある。【構成】 上記諸目的は、アルミニウム配線形成工程後、炭素数1または2の有機酸、アンモニア水および過酸化水素の混合液を用いることを特徴とする半導体装置の洗浄方法により達成される。

Claim (excerpt)：

アルミニウム配線形成工程後、炭素数1または2の有機酸、アンモニア水および過酸化水素の混合液を用いることを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/60 ,  C11D 7:26 ,  C11D 7:06 ,  C11D 7:18