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J-GLOBAL ID：200903073986910193

磁気トランスデューサーおよび磁気再生装置

Inventor： ▲高▼橋 宏昌 ,  添谷 進
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058654
Publication number (International publication number)：2000260010
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】強磁性膜と、この強磁性膜に一方向異方性を発現させるための反強磁性膜とを有する磁気トランスデューサーであって、反強磁性膜の膜厚を薄くすることのできる磁気トランスデューサーを提供する。【解決手段】強磁性膜(CoFe30Aux膜)と、強磁性膜に一方向異方性を発現させるために、強磁性膜に接するように積層された反強磁性膜(CrMnPt膜)とを有する。反強磁性膜は、反強磁性膜を構成する結晶粒の結晶構造が、膜面方向の特定の軸が伸長する方向に歪んでいる。

Claim (excerpt)：

強磁性膜と、前記強磁性膜に一方向異方性を発現させるために、前記強磁性膜に接するように積層された反強磁性膜とを有し、前記反強磁性膜に含まれる結晶粒の結晶格子は、膜面方向の特定の軸が伸長する方向に歪んでいることを特徴とする磁気トランスデューサー。

F-Term (4)：

5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁性積層体とそれを用いた磁気センサ及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340940   Applicant：株式会社日立製作所