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J-GLOBAL ID：200903073991959869
半導体光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995123674
Publication number (International publication number)：1996316583
Application date： May. 23, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】従来素子に比べてTE/TMの偏光度を大幅に向上させ、偏光子を用いずにTEモードに偏光した光を発光するシステムを構成できるようにする。【構成】半導体光素子は、活性なる光導波路を有し、光導波路の少なくとも一部が圧縮型の歪量子井戸層を含む歪量子井戸構造で構成される。光導波路の一方の端部に窓構造が形成される。窓構造を構成する材料の伝導帯9と重い正孔帯10間のバンドギャップE(w)hhと、伝導帯9と軽い正孔帯11間のバンドギャップE(w)lhとが、圧縮型歪量子井戸層の量子化された伝導帯2と重い正孔帯4間のバンドギャップE(a)hhと、伝導帯2と軽い正孔帯6間のバンドギャップE(a)lhとに対し、E(a)hh<E(w)hh、E(a)hh<E(w)lh≦E(a)lhの関係を有するように材料設計する。これにより窓構造領域は両モード光のうちTMモード光のみに対する吸収領域となる。
Claim (excerpt)：
活性なる光導波路を有し、該光導波路の少なくとも一部が圧縮型の歪量子井戸層を含む歪量子井戸構造で構成されている半導体光素子において、上記光導波路の少なくとも一方の端部に窓構造が形成されており、該窓構造を構成する材料の伝導帯と重い正孔帯間のバンドギャップE(w)hhと、上記伝導帯と軽い正孔帯間のバンドギャップE(w)lhとが、上記圧縮型歪量子井戸層の伝導帯と重い正孔帯間のバンドギャップE(a)hhと、上記圧縮型歪量子井戸層の伝導帯と軽い正孔帯間のバンドギャップE(a)lhとに対し、次の関係を有することを特徴とする半導体光素子。E(a)hh < E(w)hhE(a)hh < E(w)lh ≦ E(a)lh
IPC (2)：
FI (2)：
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