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J-GLOBAL ID：200903073992070229

半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス

Inventor： レオン・ゴルドスタン ,  フランソワ・ブリルエ ,  カトリーヌ・フオルタン ,  ジヨエル・ジヤケ ,  ポール・サレ ,  ジヤン・リユツク・ラフラジエツト ,  アントニーナ・プレ
Applicant, Patent owner： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997249069
Publication number (International publication number)：1998107389
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ヒ化ガリウムの単位胞とともに結晶化可能な少なくとも一つの材料をリン化インジウムの結晶ウェーハ(P1)上に折出させるためのエピタキシャル折出方法。【解決手段】 このような結晶化可能な材料は変成層を形成する。このような変成層は、マトリックスの面発光レーザの共振空洞を形成するための半導体ブラグミラー(43、M2)となる。このマトリックスは、ケイ素の支持体(50)によって固設される。本発明は光通信に適用される。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル折出方法を使用して、ヒ化ガリウムの単位胞で結晶化可能な少なくとも一つの材料(7、9、10、13)をリン化インジウムの単位胞を有する結晶ウェーハ(P1)上に折出させる、少なくとも一つの変成折出操作を含み、その結果、この結晶化可能な材料が、この素子の機能光路(A)においてこのウェーハと直列に配設された少なくとも一つの変成層(7、9、10、13、43)を形成することを特徴とする半導体光電子素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 21/203

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 21/203 M